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電界効果トランジスタはチャネル表面を流れる電流の大きさをゲート電圧で電気的にスイッチングする素子である。我々は最近、VO2を用いた電気二重層トランジスタ（EDLT）では、表面に電荷を蓄積することで静電遮蔽長を遥かに超えた領域の電子状態を制御可能であることを見出した。さらにその特徴を詳しく調べた結果、VO2-EDLTでは電流のみならず光学特性や結晶構造をもゲート電圧で自在に制御可能であることを見出した。これらの成果はトランジスタの機能を局所的な電流スイッチングから巨視的な相制御へと拡張するものであり、従来のシリコンテクノロジーの枠組みを超えた新しい応用展開が期待される。
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