研究課題/領域番号 |
25709022
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研究種目 |
若手研究(A)
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研究機関 | 東京工業大学 |
研究代表者 |
田口 大 東京工業大学, 理工学研究科, 助教 (00531873)
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研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2017-03-31
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キーワード | 解析・評価 / 電子・電気材料 / 誘電体物性 / 電子デバイス・機器 / 長寿命化 / 界面 / 分極 / 絶縁体物性 |
研究概要 |
本課題では、研究代表者が世界に先駆けて実現したEFISHG測定による積層型有機EL素子のキャリア挙動の直接評価系を拡張し、トラップエネルギの評価も実現するために発展させるものである。初年度である平成25年度は、EFISHG測定系にトラップフィリング用のレーザー光源を導入し、EFISHG法により界面トラップ準位のエネルギ空間構造についても評価できるよう拡張を行った。また、熱刺激法による励起法でも実験可能とする拡張も行うことができた。現段階でもEL素子面内の固定点でのキャリア挙動評価が実現されており、EFISHG法を用いてトラップ挙動と素子寿命の関連を探るため、2層積層型(IZO/a-NPD/Alq3/Al)有機EL素子の評価を行い、高電圧印加により積層膜界面に長い時間(>10 s)トラップされるキャリアが発生することを初めて明確化した。また、このとき短絡絶縁破壊の前駆現象として生じるキャリア蓄積の不安定化をEFISHG法により実験でとらえることにも成功し、学会発表・雑誌論文により成果報告した。さらに有機EL素子に用いられる有機材料は自発分極を形成するAlq3などの極性分子が広く用いられていることを鑑み、強誘電体であるP(VDF-TrFE)を自発分極層としてもつ積層構造素子の評価も行った。一方、従来の評価手法と本手法によるキャリア挙動評価を比較した。すなわち、直接キャリア挙動を評価するEFISHG法の解析結果に基づいて、間接的にキャリアを評価しているインピーダンス法や変位電流法により得られる実験データを検討した。これにより、EL発光・非発光の違いによる変位電流波形への現れ方の違いを明確化して報告した。
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現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
2: おおむね順調に進展している
理由
本研究の目的は、積層型有機ELの輝度劣化を引き起こすトラップ準位のエネルギ構造を光学的に評価する手法を確立し、その上で、EFISHG法による有機膜積層界面でのトラップキャリア挙動の評価と組み合わせ、有機ELの輝度劣化現象を実空間的なキャリア挙動(発光面内の空間分解能1 micro m)とエネルギ空間での界面トラップ準位密度(検出精度1012/cm2.eV)の両面から分析する、新しい劣化分析手法を実現することである。 初年度である平成25年度は、本装置にトラップフィリング用のレーザー光源を導入し、EFISHG法により界面トラップ準位のエネルギ空間構造についても評価できるよう評価システムの拡張を行った。トラップフィリング用のレーザー波長は、多くの有機材料が可視光に対応するエネルギ遷移をもつことから、先ず初めに可視光の高エネルギ側と低エネルギ側の波長として405nm及び808nmを選択して評価装置に組み込んだ。そして、最も基本的な有機ELデバイス構造である2層積層膜有機ELデバイスを作製して実際に分析を行った。また、当初計画したとおり、EL輝度劣化特性をフィルタリング法で解析し、劣化モードの分離を行った。 これにより、電荷注入効率を上げるためにホール注入層を導入した3層構造では、注入層のない2層構造の場合に比較して、劣化n乗則に従う成分が大きくなっていることなどを明らかにした。さらに、トラップ励起方法として当初計画した光励起法に加えて、熱刺激法による励起法でも実験可能とするための光学システム拡張も行うことができた。
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今後の研究の推進方策 |
研究計画に従い、EL発光デバイス面内の界面トラップ準位の分布をイメージングできるよう、顕微光学系を導入して、EFISHG測定システムの拡張を行う。EFISHGシグナル励起に用いるレーザー光の波長限界である1 micro mの分解能を実現し、界面トラップ準位の空間分布をイメージング可能とする。
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次年度の研究費の使用計画 |
当初計画した光励起によるトラップ解放に加えて、熱刺激によるトラップ解放も有効と考えたため、光励起用レーザーの波長を今年度は基本的な2波長までとし、熱刺激測定も可能なように光学系の拡張を行った。 平成25年度に行った熱刺激測定についての拡張の後、2層積層構造素子について測定を実施したところ、熱刺激測定によるトラップ電荷解放の直接測定をEFISHGで測定できる見通しを得たことから、温度制御の精密化を行うことで評価システムの解析の高精度化を行うため、平成26年度分予算とあわせてさらに評価装置の拡張を行う
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