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2016 年度 研究成果報告書

光EFISHG法による積層有機ELの界面トラップキャリア分布とEL輝度劣化の研究

研究課題

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研究課題/領域番号 25709022
研究種目

若手研究(A)

配分区分一部基金
研究分野 電子・電気材料工学
研究機関東京工業大学

研究代表者

田口 大  東京工業大学, 工学院, 助教 (00531873)

研究期間 (年度) 2013-04-01 – 2017-03-31
キーワード誘電物性 / 解析・評価 / トラップ / 可視化 / 光第2次高調波発生 / 電子デバイス・機器 / 電子・電気材料 / 電界
研究成果の概要

本研究では、研究代表者が世界に先駆けて実現した光学的手法(EFISHG法)によるキャリア挙動の直接評価法を拡張し、EL輝度劣化の原因となるトラップキャリアを実空間およびエネルギー空間の両面からの評価を実現した。実空間測定ではCCDによるイメージング光学系と軸対称偏光顕微鏡を新たに構築し、トラップキャリアの3つの現れ方(1:電圧特性、2:時間特性、3:空間分布のパターン形成)を明確化した。エネルギー空間測定では、光励起、熱刺激、微弱電界発光による評価システムを構築し、トラップキャリア準位の分布をエネルギー分解能0.2 eVで測定した。

自由記述の分野

電子・電気材料工学

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公開日: 2018-03-22  

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