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GeコアSi量子ドットからのPLでは、Geコアでの電子－正孔再結合が支配的であり、GeコアへのPのデルタドーピングにより、Pドナー準位を介した発光再結合が顕著に増加することがわかった。さらには、Geコアの量子準位間の発光再結合に起因するPLの強度は、励起光強度~6W/cm^2以上で、オージェ再結合が顕在化するため飽和することが分かった。また、SiO2上の極薄Pt/Fe積層膜をリモートH2プラズマ処理することで、規則合金FePtナノドットを高密度一括形成でき、保磁力の異なるナノドットの二層構造の局所電気伝導特性では保磁力差を反映して、ドットの磁化状態に起因する電子輸送変化が室温で観測できた。
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