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将来におけるネットワークの高速化に対応するため、従来の半導体レーザの限界を超えうる直接変調レーザの実現が求められている。この回答として長波長帯トランジスタレーザの高性能化とその高速性能を明らかにすることを目的として研究を行った。
理論検討によって、電圧変調方式のトランジスタレーザで、従来問題であった素子の寄生容量を低減するための設計指針を明らかにし、実際に作製した半絶縁基板上1.3um帯トランジスタレーザにおいて、静特性の向上と理論通りの動特性の改善効果を確認し、理論検討の有効性を明らかにした。
これにより、ネットワークの高速化に対応可能な性能を実現できる見通しを示した。
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