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将来の巨大容量情報記録デバイスの一つとして磁性細線中を磁壁が移動するレーストラックメモリが期待されている。本研究では磁性細線の一部に異なる磁性体から成る交換結合構造部を作製することで、容易に磁壁を導入できることを実験的に実証し、極Kerr効果を利用して電流による磁壁移動を確認した。また、磁壁移動型デバイスで問題となる磁壁移動のオーバーシュートが磁壁構造変化に起因すること、これを抑制するには周期的に変化する２種類の磁壁エネルギーが同等になるように磁性細線の厚みと幅を設定することが有効であることを示した。さらに多次元的な電流分布を反映したマイクロマグネティックシミュレータを開発した。
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