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電離放射線により引き起こされる様々な影響の中でも、遺伝的不安定性は放射線の長期定期な影響であり放射線発がんの要因となりうるものである。しかし、その誘発機構の解明は未だなされていない。申請者は、DNA二重鎖切断(DNA double-strand breaks ; DSBs)修復機構の欠損した細胞では遺伝的不安定性の誘発頻度が高くなることから、DSBs修復欠損により生じる不完全なDSBs修復産物が遺伝的不安定性の因子と成り得ると考えた。そこで、非DSBs型DNA損傷を不完全なDSBs修復産物と想定し、これを細胞内に導入し、損傷を導入された細胞が遺伝的不安定性をを誘発するかを調べた結果、非DSBs型DNA損傷の導入は細胞に対して核型異常、染色体異常を誘発することを明らかにした。しかし、それらの各種異常の誘発機構の全容は未だ不明である。そこで本研究では、がん細胞の悪性度にも関係する染色体の数的な異常である核型異常の非DSBs型クラスターDNA損傷による誘発機構解明を目的とする。
UV-Aの照射によって生じさせた非DSBs型DNA損傷は、微小核細胞融合法によって未照射の細胞に導入する。その後、損傷導入細胞を選択的に培養し、核型異常等を調べる。本研究では、導入によって細胞周期にどのような影響を及ぼすのか、すなわち、細胞分裂制御への影響があるのかを調べる。通常、DNA損傷が生じると細胞周期には修復のための遅延等が見られる。そこで、核型異常の形成の原因として、細胞分裂の制御に異常が生じるのではないかと考え、非DSBs型クラスターDNA損傷の導入が細胞分裂制御へ及ぼす影響を解明する。
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