| 研究課題/領域番号 |
25790007
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| 研究種目 |
若手研究(B)
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| 研究機関 | 金沢大学 |
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研究代表者 |
石井 史之 金沢大学, 数物科学系, 准教授 (20432122)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| キーワード | ラシュバ効果 / 強誘電体 / ナノ界面 / スピン流 |
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| 研究概要 |
強誘電体PbTiO3のラシュバ効果について、分極反転で運動量空間のスピンテキスチャの渦が反転することを確認した。また、ラシュバ係数の大きさも見積り、Bi薄膜表面と同程度の大きさが得られることを明らかにした。SrTiO3, BaTiO3についても計算を実施し、ラシュバ係数を明らかにした。また、PbTiO3薄膜について、電気分極によって特異なスピン構造が出現することを発見した。
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| 現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
2: おおむね順調に進展している
理由
当初の予定は①強誘電体バルク、②強誘電体表面・界面、③金属基板上のグラフェンに関するラシュバ効果を調べることであった。①については、強誘電体PbTiO3, BaTiO3, SrTiO3のバルク、②についてはPbTiO3薄膜の表面におけるラシュバ効果とスピン流の予測をおこなっている。③についてはNi(111)基板上のグラフェンのラシュバ効果について調べた。当初の計画どおり進んでいる。
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| 今後の研究の推進方策 |
当初の計画どおり、テーマ①については、バルク強誘電体については、分極方向とラシュバ効果の相関を明らかにする。テーマ②については、強誘電体界面分極効果とラシュバ効果に着いて調べる。テーマ③については、グラフェンの絶縁体基板上のラシュバ効果について調べる。
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| 次年度の研究費の使用計画 |
購入予定であった計算機がモデルチェンジにより、仕様が大きく変更される時期であったため、モデルチェンジ後について、調査し、購入計画の再考が必要であるため、購入時期を次年度に変更した。
8月-11月に計算機の規模を少し縮小し、設備品ではなく、50万円以下の消耗品として購入する。
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