グラフェン／超伝導金属接合の強磁場下に於ける輸送現象の研究

2014 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 25790010
• 研究種目: 若手研究(B)
• 配分区分: 基金
• 研究分野: ナノ構造物理
• 研究機関: 東京理科大学
• 研究代表者: 津村 公平 東京理科大学, 理学部, 助教 (70583251)
• 研究期間 (年度): 2013-04-01 – 2015-03-31
• キーワード: グラフェン / 超伝導近接効果 / 量子ホール効果 / 光照射効果

研究成果の概要

本研究ではグラフェンの有する特異な電子物性に着目し、超伝導状態・量子ホール状態の共存状態の実現とその物性解明を目指した。グラフェンと第二種超伝導体である窒化二オブ(NbN)との接合構造作製技術開発を行い、グラフェン/Ti/Nb/NbN多層構造による良好なコンタクト形成を実現した。そしてNbN/グラフェン/NbN接合に於いて、強磁場中で前記二状態が共存することを実証した。さらにグラフェン中に誘起された超伝導状態を、光励起下での電子輸送測定によって評価する測定手法を開発した。

自由記述の分野

メゾスコピック超伝導