低温合成した窒素ドープグラフェンの局所領域における伝導機構の解明

研究成果発表報告書

• 研究課題/領域番号: 25790025
• 研究種目: 若手研究(B)
• 配分区分: 基金
• 研究分野: ナノ材料工学
• 研究機関: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
• 研究代表者: 沖川 侑揮 国立研究開発法人産業技術総合研究所, ナノ材料研究部門, 研究員 (50635315)
• 研究期間 (年度): 2013-04-01 – 2016-03-31

研究成果

• [産業財産権] 窒素ドープグラフェン膜とその製造方法 (2018)
  • 発明者名: 沖川 侑揮, 山田 貴壽, 石原 正統, 長谷川 雅考
  • 権利者名: 産業技術総合研究所
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: 特願2018-522453
• [産業財産権] 窒素ドープグラフェン膜とその製造方法 (2017)
  • 発明者名: 沖川 侑揮, 山田 貴壽, 石原 正統, 長谷川 雅考
  • 権利者名: 産業技術総合研究所
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: PCT/JP2017/020603
  • 外国
• [産業財産権] 窒素ドープグラフェン膜とその製造方法 (2016)
  • 発明者名: 沖川 侑揮, 山田 貴壽, 石原 正統, 長谷川 雅考
  • 権利者名: 産業技術総合研究所
  • 産業財産権種類: 特許特願2016-114627
  • 産業財産権番号: 特願2016-114627
  • 出願年月日: 2016-06-08