研究課題
若手研究(B)
プラズマ化学気相成長法（ＣＶＤ）は低温、高スループット、大面積での炭素材料合成に向いている。本研究では、窒素ドープグラフェンの電気伝導機構解明を目的として、低温合成が可能なプラズマＣＶＤを用いた窒素ドープグラフェン合成を試みた。まず、プラズマＣＶＤ合成装置に質量分析装置を組み合わせることでプラズマ照射中のガス分圧を検知し、グラフェン合成中に導入される窒素量を把握できるようになった。この技術を用いて微量なメタンと窒素を導入することで、窒素ドープグラフェン合成に成功した。
ナノカーボン材料におけるエレクトロニクス応用
