| 研究成果の概要 |
GaN最表面の異方性応力評価手法について検討した。本課題で重要なひずみラマンシフト係数について応力印加装置を用いた手法とラマン、X線回折を使った手法で導出した。液浸と表面増強ラマンの技術を組み合わせてGaN最表面の情報を抽出した。c, a, m, s面のラマン偏光選択則を明らかにした。液浸ラマンで励起したE1TOのピーク位置が異常を示し、これはフォノンmixingに因ることを明らかにした。フォノンmixingの式を用いた異方性応力評価手法について検討した。本課題で得られた上記の成果は、GaNの応力評価の観点で重要な知見を含んでおり、GaN系材料の結晶評価技術、成長技術に貢献できると考えている。
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