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2015 年度 研究成果報告書

一次相転移系遷移金属酸化物の電界相制御

研究課題

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研究課題/領域番号 25790051
研究種目

若手研究(B)

配分区分基金
研究分野 結晶工学
研究機関国立研究開発法人産業技術総合研究所

研究代表者

渋谷 圭介  国立研究開発法人産業技術総合研究所, 電子光技術研究部門, 研究員 (00564949)

研究期間 (年度) 2013-04-01 – 2016-03-31
キーワード二酸化バナジウム / 金属-絶縁体転移 / 電子相転移
研究成果の概要

多彩な物性を示す強相関電子系物質の応用に向けて、一次相転移を示す遷移金属酸化物の薄膜およびそれを用いた電界効果デバイス構造を作製した。電界によって二酸化バナジウムの電子相転移を不揮発に制御することに成功し、電子相転移を利用した不揮発性デバイス実現の可能性を示した。また、薄膜成長中の温度・酸素分圧を精密に制御することで、シリコン基板上に巨大な光学特性の変化を示す二酸化バナジウム薄膜を作製することに成功した。

自由記述の分野

材料物理

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公開日: 2017-05-10  

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