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2014 年度 研究成果報告書

原子層制御による反強磁性ハーフメタル酸化物の合成と特性評価

研究課題

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研究課題/領域番号 25790054
研究種目

若手研究(B)

配分区分基金
研究分野 薄膜・表面界面物性
研究機関東京大学

研究代表者

近松 彰  東京大学, 理学(系)研究科(研究院), 助教 (40528048)

研究期間 (年度) 2013-04-01 – 2015-03-31
キーワード薄膜・表面界面物性 / 酸化物エレクトロニクス / 薄膜新材料
研究成果の概要

反強磁性ハーフメタル物質は、第一原理計算により多くの物質が予測されているが、未だ完全な反強磁性ハーフメタル物質の合成例はない。本研究では、反強磁性ハーフメタル実現に向けて、反強磁性ハーフメタル候補物質LaSrVMoO6・Sr2CrRuO6の高品質なエピタキシャル薄膜を作製し、輸送・磁気特性と電子状態を実験的に明らかにした。また、シード層として期待されるBサイト配列Sr2MgMoO6エピタキシャル薄膜の作製にも成功した。

自由記述の分野

固体化学

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公開日: 2016-06-03  

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