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本研究では、ゲルマニウムの二次元シート結晶：ゲルマネンを成長させうるテンプレート基板の開発を目的とし、高配向性グラファイト基板上に二次元シート状窒化アルミニウム結晶の作製を試みた。RF－MBE法により、高配向性グラファイト基板上にアルミニウムと窒素ラジカルの同時照射した際の表面構造を走査型電子顕微鏡および原子間力顕微鏡により解析し、結晶構造をX線回折法により解析した。その結果、各成長条件に対し、窒化アルミニウム結晶薄膜の成長を確認した。また、基板温度800℃・窒素ラジカルRF出力600Wの条件において、二次元シート状窒化アルミニウム結晶の成長を確認した。
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