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半導体量子ドット等を利用した新しい局所プローブを用いて、半導体微細構造中の局所電子、スピン状態、およびその物理現象を調べた。具体的には、量子ポイントコンタクトを用いた量子ホールエッジ状態におけるエネルギー緩和測定について解析を行い、エネルギー緩和の測定メカニズムを調べた。また局所電子、スピン状態の静的な特性だけでなく、そのダイナミクスまで含めて測定できる高速局所電子状態プローブを、半導体量子ドットを用いた局所プローブと高周波測定技術を組み合わせて実現した。そしてこの新プローブを量子ドット内局所電子状態の測定に適用し、その動作、特性を調べた。
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