|
本申請課題では、第一原理GW計算を用いて、物質の電子構造に対するプラズモン励起 (集団電荷励起) の効果を調べる。プラズモンは長距離クーロン相互作用の下で相互作用する電子系の低キャリア濃度領域において発生するが、ドーピング量が小さいほど、励起エネルギーは低下し、低密度キャリア領域では、低エネルギー物性を支配する。固体表面・界面に対する電界誘起キャリアドーピング法、希薄磁性半導体合成技術の進展によって、極低密度キャリア系が実現・制御可能となっており、基礎理論構築が望まれる。大規模並列化された第一原理GWコードを用いて、この系の物質科学展開のための基礎的知見を得る。
|
