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2014 年度 研究成果報告書

NMRとバルク測定による高純度単層カーボンナノチューブの基底状態の解明

研究課題

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研究課題/領域番号 25800201
研究種目

若手研究(B)

配分区分基金
研究分野 物性Ⅱ
研究機関首都大学東京

研究代表者

中井 祐介  首都大学東京, 理工学研究科, 助教 (90596842)

研究期間 (年度) 2013-04-01 – 2015-03-31
キーワードカーボンナノチューブ / 磁性 / 熱電物性 / NMR
研究成果の概要

単層カーボンナノチューブ(SWCNT)に対して、密度勾配超遠心法やグル分離法を用いて、試料の高純度化を行い以下の測定を行った。半導体型SWCNTのゼーベック係数測定を行い、Bi2Te3系に匹敵する大きなゼーベック係数をもつことを発見した。磁化率の直径・温度・電子状態依存性の測定を行い、理論で予想された新奇な磁性の振る舞いを明らかにした。NMR測定からはNMR緩和率の直径依存性が理論計算に一致すること、半導体と金属型の混合試料に比べて金属型のみを含む試料でLuttingerパラメータの顕著な変化を見出した。放射光X線回折実験からほぼ単一カイラリティ試料の炭素原子間距離の精密決定を行った。

自由記述の分野

物性物理

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公開日: 2016-06-03  

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