太陽光エネルギーの有効利用を可能にする新規な光電変換材料として、半導体量子ドットが注目されている。量子ドット太陽電池の高効率化には電荷移動効率を低下させること無く、多くの光エネルギーを系内に取り込む機構が必要である。 本研究では、これを量子ドットの積層構造制御による、エネルギー傾斜構造を利用することで達成することを目的とした。まずエネルギー構造を自在に制御可能な多元系ZnSe-AgInSe2固溶体量子ドットを開発し、この新しい量子ドットを積層することで電荷分離に有効なエネルギー構造を構築し、光カソード電流を効率よく取り出すことを可能にした。
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