窒化物半導体太陽電池のための超高品質基板の開発

2014 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 25820120
• 研究種目: 若手研究(B)
• 配分区分: 基金
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 東京大学
• 研究代表者: 小林 篤 東京大学, 生産技術研究所, 特任助教 (20470114)
• 研究期間 (年度): 2013-04-01 – 2015-03-31
• キーワード: 窒化物半導体 / 薄膜成長

研究成果の概要

本研究では、窒化物半導体太陽電池の高効率化を目的として、新規格子整合基板の開発を行った。具体的には、異種材料である酸化物基板上に、結晶性の高い窒化物半導体薄膜をエピタキシャル成長させ、それを剥離した。このプロセスにより、所望の格子定数とバンドギャップを有する窒化物半導体テンプレートを作製することに成功した。

自由記述の分野

窒化物半導体結晶成長