|
ダイヤモンドパワーデバイス高性能化の糸口として、デバイス特性とダイヤモンドの結晶性の相関に着目した。今回特に、リーク電流とドリフト層中の転位の相関を明らかにするため、疑似縦型ショットキーバリアダイオード(SBD)を作製し、逆方向にバイアスをかけた際のリーク電流を測定した。これに加えて、ショットキー電極直下に存在する転位をX線トポグラフィ像で解析した。その結果、転位密度が同程度の素子で耐電圧特性にばらつきがあり、所謂キラー欠陥となる転位の存在を見出すことはできなかったが、刃状転位と未同定の欠陥がデバイス特性への影響力が大きいことを見出した。
|
