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１インチを超える大面積ダイヤモンド単結晶ウェハの作製実証と、その為に必要となる、大面積に渡る一様性の高い高速合成に関する知見を得るため、実機形状下でのシミュレーションを実施し、実際に合成した結果との比較により、合成メカニズムの理解と、高品質化へ向けての最適化を試みた。数値的に合成速度を予測する従来モデルの不備を修正し、実際の合成速度分布を説明すること概ね成功した。微量窒素の効果や、基板前処理を検討した結果、２インチ大の接合基板を作製実証することに成功した。更なる大面積上の高速合成を達成するために希ガスを導入した系で合成を実施し、一様性を維持しつつ合成速度を向上できることを確認できた。
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