• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 課題ページに戻る

2014 年度 実績報告書

三次元集積回路の動作発熱に起因する薄化チップの動的局所変形と電気特性変動の研究

研究課題

研究課題/領域番号 25820133
研究機関東北大学

研究代表者

木野 久志  東北大学, 学際科学フロンティア研究所, 助教 (10633406)

研究期間 (年度) 2013-04-01 – 2015-03-31
キーワード集積エレクトロニクス / 高密度実装 / プロセス技術・微細加工 / 半導体材料・デバイス
研究実績の概要

本研究は三次元集積回路(3D IC)内の異種材料間の熱膨張係数差が薄化されたICチップに与える局所曲げ応力の影響を調査するものである。特に回路動作によって生じる発熱に起因した有機系接着剤の熱膨張による影響についての詳細を定量評価することが本研究の目的である。
本年度は様々な密度のマイクロバンプを形成し、それぞれの場合における局所曲げ応力がMOSFETの特性変動へ与える影響を評価した。種々の密度のマイクロバンプを有する基板上に薄化した分光分析による応力評価用のSiチップおよびMOSFETの特性変動評価用のICチップを積層し、基盤とICチップ間に有機系接着剤を注入することで評価試料を作製した。SiチップおよびICチップの厚さ依存性も評価するため様々な厚さのSiチップとICチップを用いて評価した。結果、マイクロバンプの密度上昇に伴い熱膨張係数差による曲がり量および曲げ応力が低下することが判明した。一方で、チップの薄化に伴い曲げ応力の大きさが上昇することが判明した。3D ICの性能向上はマイクロバンプの高密度化とICチップの薄化によってなされると考えられることから本結果は3D ICの設計指針に対し非常に意義のある結果といえる。
さらに、有限要素法によるシミュレーションを用いた解析も実施した。シミュレーションにより昨年度実施した熱による有機系接着剤の膨張の効果、および本年度実施したマイクロバンプの密度による曲げ応力の変化に非常に近しい結果を得ることに成功した。このことからシミュレーションによる評価も非常に有用であることが判明した。
以上により当初の目標として掲げた3D IC内に発生する熱膨張係数差によって生じる局所変形のシミュレーション、回路の動作発熱により膨張した有機系接着剤がMOSFETに与える影響、マイクロバンプの密度とMOSFETの特性変動の依存関係の解明を成したと判断する。

  • 研究成果

    (6件)

すべて 2015 2014 その他

すべて 雑誌論文 (1件) (うち査読あり 1件) 学会発表 (4件) 備考 (1件)

  • [雑誌論文] Deteriorated Device Characteristics in 3D-LSI Caused by Distorted Silicon Lattice2014

    • 著者名/発表者名
      Mariappan Murugesan,Yasuhiko Imai,Shigeru Kimura, Takafumi Fukushima, Ji Cheol Bea,Hisashi Kino, Kang-Wook Lee, Tetsu Tanaka, and Mitsumasa Koyanagi
    • 雑誌名

      IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES

      巻: 61 ページ: 540-546

    • DOI

      10.1109/TED.2013.2295463

    • 査読あり
  • [学会発表] 三次元集積化における異種材料間の熱膨張係数差がおよぼす影響2015

    • 著者名/発表者名
      木野 久志、池ヶ谷 俊介、小柳 光正、田中 徹
    • 学会等名
      第62回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      神奈川
    • 年月日
      2015-03-11 – 2015-03-14
  • [学会発表] 3D IC用ビアラスト・バックサイドビアプロセスにおけるプラズマダメージのMOSFET特性への影響評価2014

    • 著者名/発表者名
      菅原陽平,橋口日出登,谷川星野,木野久志,福島誉史,李康旭,小柳光正,田中徹
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
  • [学会発表] Investigation of the Plasma Damage by Etching Process for TSV Formation in Via-last Backside-via 3D IC2014

    • 著者名/発表者名
      Yohei Sugawara1, Hideto Hashiguchi, Seiya Tanikawa, Hisashi Kino, Kang-Wook Lee, Takafumi Fukusima, Mitsumasa Koyanagi, and Tetsu Tsnaka
    • 学会等名
      International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tsukuba, Japan
    • 年月日
      2014-09-08 – 2014-09-11
  • [学会発表] Minimization of Keep-Out-Zone (KOZ) in 3D IC by Local Bending Stress Suppression with Low Temperature Curing Adhesive2014

    • 著者名/発表者名
      H.Kino, H.Hashiguchi, Y.Sugawara, S.Tanikawa, T.Fukushima, K-W.Lee, M.Koyanagi, and T.Tanaka
    • 学会等名
      The 64th Electronic Components and Technology Conference
    • 発表場所
      Florida, USA
    • 年月日
      2014-05-27 – 2014-05-30
  • [備考] 東北大学大学院医工学研究科 田中(徹)研究室ホームページ

    • URL

      http://www.lbc.mech.tohoku.ac.jp

URL: 

公開日: 2016-06-01  

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi