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次世代の集積回路として三次元集積回路(Three dimensional integrated circuit: 3D IC)が期待されているが、異種材料間の熱膨張係数差により局所応力の影響が懸念される。本研究では局所応力がトランジスタに与える種々の影響を評価した。
テスト構造による評価の結果、異種材料間の熱膨張係数差で生じる局所曲げ応力は薄化Si基板に大きな歪を与え、トランジスタ特性にも大きな影響を与えることが判明した。三次元集積化回路の実用化展開のためには異種材料間の熱膨張係数差によって生じる機械応力の影響を抑制することが喫緊の課題である。
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