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電子機器の高速化に伴い配線が細密化し動作周波数が高くなる中で、信号伝送や電源供給のための配線が近傍の金属と結合し、所望の動作を得られないなどの問題が顕在化している。本研究では、IC内部や回路基板との間を橋渡しするインターポーザの電源供給用の配線を対象に、高周波電磁界結合を表現する等価回路モデル構築を行った。準静近似下での集中素子ではなく、電磁界の分布も考慮した集中素子モデルを導出した。また、CMOSのサブストレートモデルを測定により構築法する手法を示した。市販のICを対象に等価回路モデルを構築し、電磁雑音混入時の特性をシミュレーションにより求めた結果、実測結果と実用上十分な精度で一致した。
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