2016 年度研究成果報告書

強磁性体/超伝導体接合におけるアンドレーエフ反射およびスピン緩和に関する研究

研究課題

研究課題/領域番号	25820150
研究種目	若手研究(B)
配分区分	基金
研究分野	電子デバイス・電子機器
研究機関	国立研究開発法人産業技術総合研究所
研究代表者	柏谷裕美国立研究開発法人産業技術総合研究所, 分析計測標準部門, 主任研究員 (60443181)
研究協力者	小柳正男柏谷聡松田健一
研究期間 (年度)	2013-04-01 – 2017-03-31
キーワード	トンネル接合
研究成果の概要	常伝導体（N）／絶縁体(I)／超伝導体（S）接合の作製を行い冷凍機により冷却して固体冷凍機としての効果を検証した。冷却の効果は接合のコンダクタンススペクトルの理論曲線との比較により行われ、バス温度0.5Kの場合に常伝導体側の温度は0.27Kになっていることが判明し、実際に冷却されていることを確認した。強磁性体/絶縁体/超伝導体接合に関しては、接合特性が得られなかったため、接合のプロセスを見直している段階であり、今後測定を行い、超伝導体/絶縁体/常伝導体接合の特性との比較を行う予定である。
自由記述の分野	超伝導、磁性