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一次元ナノ構造体の電気デバイスが製造されており、それらの機械的および電気的特性は、その場TEM観察法を使用して研究されてきた。シリコンナノワイヤの電子移動度は、引張ひずみ3.4％の下で3.8倍に向上させることができ、14.7％までの曲げひずみの下では2.7倍直線的かつ可逆的に増加させることができた。加うるに提示されたようなキラリティー依存の輸送特性を持ち、約1ナノメートル径を有する単層カーボンナノチューブのトランジスタ及び真空管の製造に成功している。さらに、極限的に高い柔軟性を示し、高性能で柔軟な電子デバイスのための道を切り開くため、原子スケールでの薄い二次元結晶の変形が研究されてきた。
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