2014 年度研究成果報告書

窒化スカンジウムの導入による閃亜鉛鉱型窒化ガリウムの合成に関する研究

研究課題

研究課題/領域番号	25820337
研究種目	若手研究(B)
配分区分	基金
研究分野	無機材料・物性
研究機関	独立行政法人物質・材料研究機構
研究代表者	大垣武独立行政法人物質・材料研究機構, 光・電子材料ユニット, 主任研究員 (80408731)
研究期間 (年度)	2013-04-01 – 2015-03-31
キーワード	窒化スカンジウム / 窒化ガリウム / 薄膜 / 分子線エピタキシー
研究成果の概要	分子線エピタキシー法により、岩塩型構造の窒化スカンジウム(ScN)薄膜をバッファ層として導入し、閃亜鉛鉱型窒化ガリウム(GaN)の合成を目的とした研究を実施した。成長用基板の探索、合成条件と結晶性・電気特性の関係を調査し、ScNの物性を明らかにするとともに、配向の異なる3種類のScN薄膜を成長させることに成功した。（100）配向、（110）配向、（111）配向したScN単結晶薄膜をバッファ層としてGaN薄膜を成長させ、成長相・配向性の合成条件依存性について調査した。
自由記述の分野	結晶成長