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2014 年度 研究成果報告書

パイ共役分子/金属界面に現れる界面準位の起源および形成機構の解明

研究課題

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研究課題/領域番号 25870034
研究種目

若手研究(B)

配分区分基金
研究分野 応用物性
物理化学
研究機関独立行政法人産業技術総合研究所 (2014)
岩手大学 (2013)

研究代表者

細貝 拓也  独立行政法人産業技術総合研究所, 計測フロンティア研究部門, 研究員 (90613513)

研究期間 (年度) 2013-04-01 – 2015-03-31
キーワード界面電荷移動 / 界面電荷移動準位 / π共役系有機分子 / 貴金属単結晶 / 光電子分光法
研究成果の概要

有機π共役系低分子と貴金属表面の接触界面において特異に現れる界面電荷移動(CT)準位の形成機構を明らかにするため、放射光角度分解光電子分光法を用いた界面電子構造の研究を行った。試料には主にペリレン系誘導体分子のジインデノペリレンDIP(C32H16)とCu(111)、Ag(111)単結晶基板を用いて、超高真空中で調整した試料の界面準位の有無を確認するとともに、界面準位が形成されるための条件として分子の化学構造式や膜中の分子配向、基板の結晶面や結晶状態を検討した。その結果、CT準位の形成は吸着分子の化学構造式に起因しており、その他の上記の因子には寄らないことを示唆する結果を得た。

自由記述の分野

有機半導体薄膜物性

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公開日: 2016-06-03  

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