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本研究では、半導体スピントロニクスへの応用が期待される希薄磁性半導体の強磁性メカニズムを明らかにするという目的で、走査トンネル顕微鏡 (STM) を用いてZnTeに添加されたCr周りの局所電子状態の観察を行った。
STM観察の結果、添加されたCrはZnTeのZnサイトを置換して存在し、フェルミ準位近傍のエネルギー領域において隣接するTeとの間にスピン偏極した不純物状態を形成していることがわかった。また、隣接Cr間に強磁性相互作用が働くことによってその不純物準位がブロード化することを明らかにした。
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