現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
1: 当初の計画以上に進展している
理由
当初計画で本年度は物質固有の有効模型を構築することであった.特に,Bi, BiSb, Bi2Te3, Bi2Se3についての有効模型を予定しており,これらについては概ね順調に進展した.この他にも,PbTe, SbTeをはじめとするIV-VI半導体にも結晶構造が異なるにもかかわらず本有効模型が適用できることが確認でき,当初の予定以上に広範囲の物質群に適用できることが明らかになった. さらに,この有効模型の特性を活かし,g因子を計算した結果,Biにおいて長年の謎であった,異方的で大きいg因子の謎が定性的のみならず定量的にも解決することに成功できたのは,計画の枠を超える大きな成果であった.
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