研究課題
若手研究(B)
Si(110)面上に固体ソース分子線エピタキシー法により歪みSi/SiGeヘテロ構造を形成し、結晶欠陥・表面モフォロジーと正孔移動度との関係を調べた。この結果、ガスソース分子線エピタキシー法と比較してラフネスを1/10に抑制することに成功した。また、600 cm2/Vsを上回る極めて高い正孔移動度が得られることを実証された。
工学