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炭化ケイ素半導体（SiC）の新しい電極構造として高濃度不純物を注入したアモルファスシリコン（a-Si）半導体の欠陥制御層を挿入した電極金属/a-Si/SiC接合を形成し、バンドポテンシャル制御による低抵抗電極形成の研究を行った。
金属電極の熱処理を行わずに2x10-6Ωcm2という実用に十分なコンタクト抵抗を実現し、欠陥制御a-Si中間層により大幅にポテンシャルエネルギーが低減されていることを明らかにした。これは提案する欠陥制御a-Si中間層のヘテロ接合により、バンドアライメント制御がなされていることを示している。これらの成果によりSiCデバイスの信頼性や特性向上が期待される。
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