| 研究成果の概要 |
トポロジカル絶縁体薄膜(Bi,Sb)2Te3を用いて、基板との界面に埋まったディラック状態の検証、Crドープした(Bi,Sb)2Te3薄膜の量子化異常ホール効果について研究を行った。通常の半導体InPを基板に用い基板との共鳴トンネル電流が磁場で振動することを発見し、その振動が界面のランダウ準位に起因していることを見出した。Crドープ(Bi,Sb)2Te3薄膜の製膜し、量子化異常ホール効果の観察に成功した。量子化伝導を解析することで量子化異常ホール効果が通常の量子ホール効果と本質的に変わらないことを見出し、上部と下部表面状態を変えることでランダウ準位のフィリングを変化させることに成功した。
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