研究課題
若手研究(B)
現在、半導体を利用した電子デバイスの小型化が進んでいる。しかし、これらの小型化にも限界が近付いている。そのため、その限界を超えるためにこれまでにない特性を持った材料を利用したデバイスの開発が進められている。その一つが金属絶縁体相転移と呼ばれる現象を応用したモットトランジスタである。本研究では、NdNiO3とSmCoO3と言う二種類の酸化物を利用してモットトランジスタの試作を行い、その性能を比較する研究を行った。
酸化物エレクトロニクス
