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大規模集積回路（ULSI）の性能向上（高速化・低消費電力化）は現代社会における急務である。本研究では、Siに代わるULSI材料としてGeに着目し、実用化と性能向上に必要な以下2件の課題に取り組んだ。
1) MOS界面の電荷相互補償 では、プロセス改善により+8×10E10～-5×10E12 cmE-2の広範な固定電荷制御に成功した。これにより電荷の相互補償およびMOSトランジスタの移動度向上が期待できる。2) 金属/Geコンタクトの障壁制御 では、金属/非晶質Ge界面層/Ge構造によって障壁高さを広範制御できることを見出し、このメカニズムについてモデル化を行った。
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