研究課題
研究活動スタート支援
半導体ピラーを透明な絶縁膜を介して金属に埋め込んだ共振器において、高いQ値が発生するメカニズムを数値計算および解析的に調べた。共振器のQ値に関して数値シミュレーションを用いて評価し、共振器の特性を調べた。実際に金属埋め込み型半導体ピラー共振器を、電子線描画とドライエッチング技術を使って作製して、n型GaAsの不純物発光をプローブとしてそのQ値を評価した。共振器に卍型のカイラリティーを導入して、その共振器特性を探索した。
量子もつれ光子対