ウルトラワイドバンドギャップ半導体の実装に向けた溶液成長の学理構築とプロセス開発

2025 年度 審査結果の所見

• 研究課題/領域番号: 25H00412
• 研究種目: 基盤研究(S)
• 配分区分: 補助金
• 審査区分: 大区分D
• 研究機関: 東北大学
• 研究代表者: 福山 博之 東北大学, 多元物質科学研究所, 教授 (40252259)
• 研究分担者: 大塚 誠 東北大学, 多元物質科学研究所, 准教授 (30241582) ; 小島 一信 大阪大学, 大学院工学研究科, 教授 (30534250) ; 中村 哲也 東北大学, 国際放射光イノベーション・スマート研究センター, 教授 (70311355) ; 安達 正芳 東北大学, 多元物質科学研究所, 講師 (90598913) ; 榎木 勝徳 島根大学, 学術研究院機能強化推進学系, 准教授 (60622595)
• 研究期間 (年度): 2025-04-01 – 2030-03-31

学術的意義、期待される成果

本研究は、窒化アルミニウム（AlN）単結晶の溶液成長法の開発を目指し、AlN溶解度積の大きな溶液成長フラックスの設計及びアニール効果による結晶中格子欠陥の低減機構を導入したハイブリッドプロセスを提案するもので、鉄鋼の不純物除去から着想を得て鉄系フラックスを選定した点は独創的であり、創造性が認められる。学術的意義はもとより、成功した際の社会的インパクトの大きい研究課題として評価できる。