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2025 年度 審査結果の所見

ホモ接合型高分子半導体ナノデバイスの開発

研究課題

研究課題/領域番号 25H00891
研究種目

基盤研究(A)

配分区分補助金
応募区分一般
審査区分 中区分35:高分子、有機材料およびその関連分野
研究機関国立研究開発法人理化学研究所

研究代表者

渡邉 峻一郎  国立研究開発法人理化学研究所, 創発物性科学研究センター, チームディレクター (40716718)

研究分担者 清水 智子  慶應義塾大学, 理工学部(矢上), 准教授 (00462672)
瀧宮 和男  国立研究開発法人理化学研究所, 創発物性科学研究センター, グループディレクター (40263735)
研究期間 (年度) 2025-04-01 – 2028-03-31
学術的意義、期待される成果

無機半導体製造技術で確立されている「不純物ドーピングによる半導体接合技術」を高分子半導体に適応し、これまでのケイ素系半導体では達成できない優れた機械的柔軟性と易加工性を持つ材料の構築を目的とした優れた研究である。材料供給等も考慮した共同研究体制が構築されており、有機的な連携による研究の進展が期待できる。

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公開日: 2025-07-01  

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