| 研究課題/領域番号 |
26246013
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
田中 秀和 大阪大学, 産業科学研究所, 教授 (80294130)
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| 連携研究者 |
神吉 輝夫 大阪大学, 産業科学研究所, 准教授 (40448014)
服部 梓 大阪大学, 産業科学研究所, 助教 (80464238)
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| 研究協力者 |
Kim Dong WooK 梨花女子大学, 准教授
Pellegrino Luca Genova大学, 研究員
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| キーワード | 新機能材料 / 遷移金属酸化物 / 酸化物エレクトロニクス / 金属-絶縁体転移 / ナノドメイン / ナノ構造デバイス |
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| 研究成果の概要 |
本研究では100nmから10nmでの極微3Dナノ構造 デバイス形成により巨大電子相変化機能をデモンストレーションすることを目的とした。マイクロ/ナノVO2ワイヤにおいて巨大な抵抗変化を創出できる【ナノ構造増感効果】を見出した。さらに三次元ナノテンプレートパルスレーザ蒸着技術確立により、最小幅20nmの酸化物ナノウォール形成、電流誘起相転移のナノ構造増感効果観測、顕微分光による50nm級ナノ電子相の直接観測、VO2平面型FETおよびハイブリットゲートVO2-FETの作製に成功した。これらを通じVO2チャネルFETにおいて最高の変調率を達成した。
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| 自由記述の分野 |
機能性酸化物エレクトロニクス
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