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本研究は、THVPE(Tri-halide vapor phase epitaxy)と言うGaCl3およびInCl3を原料分子に用いる新しい成長法をInGaNに初めての応用した研究である。最初に、初期基板結晶の面極性依存性を調べ、GaN (000-1)面のみに成長することを初めて明らかにした。続いて、(000-1)GaN基板を用いて、Ⅲ族原料濃度と成長速度および成長組成の関係を明らかにした。その結果、成長速度が最高15.6ミクロン／時と言う非常に大きな成長速度を得ることができた。
本研究により従来の成長方法では不可能であった10ミクロン以上の厚膜InGaNエピタキシャル膜の成長に成功した。
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