| 研究課題/領域番号 |
26246019
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
結晶工学
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
宇治原 徹 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 教授 (60312641)
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| 研究分担者 |
原田 俊太 名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 助教 (30612460)
田渕 雅夫 名古屋大学, シンクロトロン光研究センター, 教授 (90222124)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2017-03-31
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| キーワード | 結晶成長 / 結晶欠陥 |
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| 研究成果の概要 |
SiCは、シリコンパワーデバイスの性能を遙かに凌ぐ材料として世界中で研究開発が進んでいる。しかし、SiC基板には未だ貫通転位、基底面転位などが含まれており、これらの低減がSiCデバイスの大幅な性能・信頼性向上の鍵となる。本研究では、高温環境での結晶欠陥の挙動を知るために、成長表面その場観察とその場X線トポグラフィーを実現する装置を開発し、実際に観察を行った。
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| 自由記述の分野 |
結晶工学
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