| 研究課題/領域番号 |
26246021
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
結晶工学
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| 研究機関 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
深田 直樹 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, 主任研究者 (90302207)
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| 研究分担者 |
宮崎 剛 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点, MANA主任研究者 (50354147)
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| 研究期間 (年度) |
2014-04-01 – 2018-03-31
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| キーワード | 結晶成長 / シリコン / ゲルマニウム / ナノワイヤ / ヘテロ接合 / 半導体 / ラマン分光 / 第一原理計算 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、半導体ナノワイヤを利用した次世代高移動度トランジスタ用チャネル実現のための研究を実験および理論の両面から行った。超並列計算機の京を利用したオーダーN法第一原理計算により、約3万原子からなるSi/GeおよびGe/Si内部の電子状態を明らかにした。計算で得た知見に基づき高真空CVD装置により、急峻な界面を持つSi/GeおよびGe/Siコアシェルナノワイヤの成長制御および位置制御ドーピング技術を確立し、コアシェルヘテロ接合を構築することで不純物散乱のない高移動度チャネルが実現できていることを実験的に初めて実証した。
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| 自由記述の分野 |
半導体物性工学
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