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2016 年度 研究成果報告書

表面超音波によるシリコンウェーハ表層の原子空孔の研究

研究課題

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研究課題/領域番号 26247059
研究種目

基盤研究(A)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 物性Ⅱ
研究機関新潟大学

研究代表者

後藤 輝孝  新潟大学, 自然科学系, フェロー (60134053)

研究分担者 根本 祐一  新潟大学, 自然科学系, 准教授 (10303174)
連携研究者 赤津 光洋  新潟大学, 自然科学系, 助教 (10431876)
三本 啓輔  新潟大学, 自然科学系, 特任助教 (50515567)
研究協力者 栗原 綾佑  新潟大学, 自然科学系, 研究員
鹿島 一日兒  グローバルウェーハズ・ジャパン(株), 技監
斎藤 広幸  グローバルウェーハズ・ジャパン(株), 参事
古村 雄二  (株)フィルテック, 社長
斉藤 芳彦  (株)東芝, グループ長
研究期間 (年度) 2014-06-27 – 2017-03-31
キーワード物性実験 / 半導体物性 / 格子欠陥 / 強相関電子系
研究成果の概要

超音波によるシリコンウェーハ中の原子空孔の研究は,基礎物性と技術応用の両面から重要である。原子空孔に束縛された電子軌道は周囲に大きく広がった軌道半径を持っており,大きな四極子-歪み相互作用を示す。100億個のSi原子に1個の希少濃度で存在する原子空孔を,弾性定数の顕著なソフト化により観測できる。本研究では,ウェーハ表面を伝搬するレイリー波を励起するために,表面弾性波素子を用いた。レイリー波の弾性定数のソフト化と磁場依存性を観測し,原子空孔軌道とレイリー波との相互作用を確立し,四極子感受率によるソフト化の解析を行った。今後は,シリコンウェーハの原子空孔評価の新しい半導体技術として発展させる。

自由記述の分野

超音波物理

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公開日: 2018-03-22  

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