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2016 年度 研究成果報告書

2次元シリコン構造の電子状態チューニングと反応性制御

研究課題

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研究課題/領域番号 26248006
研究種目

基盤研究(A)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 物理化学
研究機関大阪大学

研究代表者

岡田 美智雄  大阪大学, 理学研究科, 教授 (30281116)

研究分担者 蔡 徳七  大阪大学, 理学(系)研究科(研究院), 講師 (20273732)
Dino Wilson  大阪大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (60379146)
連携研究者 寺岡 有殿  量子科学技術研究開発機構, 上席研究員 (10343922)
研究協力者 武安 光太郎  
津田 泰孝  
牧野 隆正  
研究期間 (年度) 2014-04-01 – 2017-03-31
キーワード表面・界面 / 表面反応 / 2次元シリコン構造
研究成果の概要

地殻資源の豊富さを示すクラーク数の大きなシリコン原子を有効活用する道を開くための基礎研究を進めた。具体的には、銅や銀単結晶表面に シリコン原子を蒸着し、2次元シリコン構造を構築して、それと塩化メチル分子等との反応素過程を解明することにより、シリコーン合成原材料ガス生成のためのロコ―反応をチューニングすることを目指した。その中で、シリコン成長基板となる銅、銅合金および銀そのものの反応性を解明した。さらに、それらの基板上にシリコン2次元構造の構築を行い、成長基板に依存した反応性の違いを明らかにした。

自由記述の分野

表面化学

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公開日: 2018-03-22  

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