研究課題
基盤研究(A)
申請者らは、これまでに例のない400K以上で平均原子価状態をとるBr架橋Pd錯体の合成に成功した。また、擬一次元ハロゲン架橋金属錯体と呼ばれる物質系を中心にその熱電特性の評価を行った。擬一次元ハロゲン架橋金属錯体はNi, Pd, Ptを中心金属とした一 次元電子系物質であるが、CoやCuなどをドープすることでその電子状態を連続的に制御できることが知られている。我々はNi錯体とPd錯体に対してCoをドープすることでどのように熱電特性が変化するかを明らかにした。
錯体化学