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2016 年度 実績報告書

BCN結晶創製と基礎物性評価に関する研究

研究課題

研究課題/領域番号 26248061
研究機関国立研究開発法人物質・材料研究機構

研究代表者

谷口 尚  国立研究開発法人物質・材料研究機構, 機能性材料研究拠点, グループリーダー (80354413)

研究分担者 町田 友樹  東京大学, 生産技術研究所, 准教授 (00376633)
渡邊 賢司  国立研究開発法人物質・材料研究機構, 機能性材料研究拠点, 主席研究員 (20343840)
寺地 徳之  国立研究開発法人物質・材料研究機構, 機能性材料研究拠点, 主幹研究員 (50332747)
中山 敦子  岩手大学, 理工学部, 教授 (50399383)
大場 史康  東京工業大学, 科学技術創成研究院, 教授 (90378795)
研究期間 (年度) 2014-04-01 – 2017-03-31
キーワード立方結晶窒化ホウ素 / ダイヤモンド / BCN固溶体 / 高圧合成
研究実績の概要

本課題では、2次元系(黒鉛型)及び3次元系(ダイヤモンド型)、(BN)1-x(C2)x(2次元系ではx=0~1、3次元系ではx=0~0.1, 0.9~1)の高品位結晶の合成を通じて新たなBCN系機能材料の創製を目指した。
2次元系BCN結晶では、高圧合成で得た高純度六方晶窒化ホウ素(hBN)への炭素ドープによる特性の変化を明らかにした。高温度下での炭素の拡散により10E18~10E20atm.cm-3の炭素原子のドーピングがなされた。hBN本来のバンド端発光特性(波長215nm)は消失し、350nm及び600nm近傍に高輝度の発光が室温で観測された。これら波長350及び600nmのPLスペクトルは共同研究者(オーストラリア)よりシングルフォトンエミッション様の特性が見いだされており、ダイヤモンド中のNV-センターと同様の展開に興味が持たれる(磁気センサー、量子通信応用など)。2次元電子系のhBN結晶とグラフェンの組み合わせによる種々の電子デバイスの作成、評価を行った(国際連携研究)。ダイヤモンドアンビルにより10E21cm-3程度迄の高濃度ホウ素ドープ黒鉛の高圧下での相転換挙動を観測したところ、通常の黒鉛と異なる相転移圧(高密度相への転換)が示唆された。再現性の確保を含めてより詳細な評価が必要である。
3次元系では、ダイヤモンド中へB,N同時ドーピングを行い、SIMS分析により成長セクターに依存した濃度分布を明らかにした。(100)セクターではB.N.濃度が10E17cm-3程度で平衡し、ほぼ無色の光学特性を呈した。炭素不純物濃度を10E17~10E20cm-3まで変化させたhBN結晶を調整し。これを精製した後に原料として立方晶窒化ホウ素(cBN)焼結体を高圧合成した。硬度に顕著な差異は見られないが,切削工具特性等の耐摩耗性の差異が期待される。

現在までの達成度 (段落)

28年度が最終年度であるため、記入しない。

今後の研究の推進方策

28年度が最終年度であるため、記入しない。

  • 研究成果

    (13件)

すべて 2016 その他

すべて 国際共同研究 (6件) 雑誌論文 (4件) (うち国際共著 3件、 査読あり 4件、 オープンアクセス 2件) 学会発表 (3件) (うち国際学会 3件、 招待講演 3件)

  • [国際共同研究] University of Technology Sydney(オーストラリア)

    • 国名
      オーストラリア
    • 外国機関名
      University of Technology Sydney
    • 他の機関数
      1
  • [国際共同研究] Columibia University/MIT/Harvard University(米国)

    • 国名
      米国
    • 外国機関名
      Columibia University/MIT/Harvard University
    • 他の機関数
      6
  • [国際共同研究] University of Manchester/Nottingham University(英国)

    • 国名
      英国
    • 外国機関名
      University of Manchester/Nottingham University
  • [国際共同研究] Fudan University/Nanjing University/Peking University(中国)

    • 国名
      中国
    • 外国機関名
      Fudan University/Nanjing University/Peking University
  • [国際共同研究] RWTH Aachen University/Universitat Regensburg(ドイツ)

    • 国名
      ドイツ
    • 外国機関名
      RWTH Aachen University/Universitat Regensburg
  • [国際共同研究]

    • 他の国数
      4
  • [雑誌論文] Quantum emission from defects in single-crystalline hexagonal boron nitride2016

    • 著者名/発表者名
      T.T. Tran, C. Zachreson, A. M. Berhane, K. Bray, R. G. Sandstrom, L.H. Li, T. Taniguchi, K. Watanabe, I. Aharonovich, M. Toth
    • 雑誌名

      Phys. Rev. Appl

      巻: 5 ページ: 34005 1-4

    • DOI

      10.1103/PhysRevApplied.5.034005

    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Comparisons of magnetoresistance in triangular and rectangular ballistic graphene npn junctions2016

    • 著者名/発表者名
      S. Morikawa, S. Masubuchi, K. Watanabe, T. Taniguchi, T. Machida
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys

      巻: 55 ページ: 100305 1-4

    • DOI

      10.7567/JJAP.55.100305

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Electron beam directed etching of hexagonal boron nitride2016

    • 著者名/発表者名
      C.Elbadawi, T.T. Tran, M. Kolibal, T. Sikola, J. Scott, Qiran Cai, H. Li, T. Taniguchi, K. Watanabe, M. Toth, I. Aharonovich, C. J. Lobo
    • 雑誌名

      NANOSCALE

      巻: 8 ページ: 16182-16186

    • DOI

      10.1039/C6NR04959A

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著
  • [雑誌論文] Macroscopic self-reorientation of interacting two-dimensional crystals2016

    • 著者名/発表者名
      C. Woods, F. Withers, M.J. Zhu, Y. Cao, G. Yu, A. Kozikov, M. B. Shalom, S.V. Morozov, M. van Wij, A. Fasolino, M. Katsnelson, K. Watanabe, T. Taniguchi, A. Geim, A. Mishchenko, K. Novoselov
    • 雑誌名

      Nat. Commun

      巻: 5 ページ: 10800-1

    • DOI

      10.1038/ncomms10800

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著
  • [学会発表] Synthesis of high purity hBN and other 2D single crystals2016

    • 著者名/発表者名
      T. Taniguchi
    • 学会等名
      Graphene week
    • 発表場所
      Warsaw Univ. Porland
    • 年月日
      2016-06-13 – 2016-06-17
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] High pressure synthesis of boron nitride polymorphic phases and their applications2016

    • 著者名/発表者名
      T. Taniguchi
    • 学会等名
      Thermec 2016
    • 発表場所
      Graz convention center Austlia
    • 年月日
      2016-05-30 – 2016-06-03
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Synthesis of high purity hBN single crystals2016

    • 著者名/発表者名
      T. Taniguchi
    • 学会等名
      Taiwan Consortium of Emergent Crystaline Materials (TCECM 2016)
    • 発表場所
      Taipei, Taiwan
    • 年月日
      2016-05-27 – 2016-05-28
    • 国際学会 / 招待講演

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公開日: 2018-01-16  

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