超高品質界面を用いた次世代スピントランジスタ

2017 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 26249039
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子・電気材料工学
• 研究機関: 東京大学
• 研究代表者: 大矢 忍 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 准教授 (20401143)
• 研究期間 (年度): 2014-04-01 – 2018-03-31
• キーワード: 分子線エピタキシー / 半導体 / 酸化物 / スピントランジスタ / スピン注入

研究成果の概要

スピントランジスタの動作実証を中心とし、その周辺技術の開拓や学術構築も含め、次のような様々な成果を得ることに成功した。①強磁性半導体GaMnAsを用いた縦型スピントランジスタの動作実証②GaMnAs量子井戸の量子サイズ効果を利用した新規物理の発見③GaMnAs横型スピンバルブ素子における大きな磁気抵抗比の実現④酸化物半導体を用いた縦型スピントランジスタの世界初室温動作実証⑤Ge系磁性半導体における強磁性発現メカニズム等の解明⑥強磁性ペロブスカイト酸化物ヘテロ構造における特異なスピン依存伝導の観測⑦トポロジカル結晶絶縁体におけるスピン流電流変換の初実証⑧超短パルス光を用いた磁性とバンドの高速変調

自由記述の分野

スピントロニクス