• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 課題ページに戻る

2016 年度 研究成果報告書

ヘテロ構造設計と微細化により低電圧・高速動作を目指した相補型縦型トンネルFET

研究課題

  • PDF
研究課題/領域番号 26249046
研究種目

基盤研究(A)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 電子デバイス・電子機器
研究機関東京工業大学

研究代表者

宮本 恭幸  東京工業大学, 工学院, 教授 (40209953)

研究分担者 鈴木 寿一  北陸先端科学技術大学院大学, 学内共同利用施設等, 教授 (80362028)
連携研究者 金澤 徹  東京工業大学, 工学院, 助教 (40514922)
研究期間 (年度) 2014-04-01 – 2017-03-31
キーワードトンネルFET / ヘテロ接合 / 化合物半導体
研究成果の概要

集積回路の高性能化には高オン電流/低オフ電流/低電源電圧を同時に行う必要があり、その実現には、異なる材料を組み合わせたへテロ構造と微細マルチゲート構造を持ちかつ従来とは異なる原理で動くトンネルFET(TFET)の研究開発が必要である。
理論計算を行い、それに基づき20 nm幅のダブルゲート構造InGaAs/GaAsSbトンネルFETを作製し、ゲート電圧に対する電流の変化を示すサブスレッショルド特性において従来より低い68 mV/decを確認した。

自由記述の分野

化合物半導体電子デバイス

URL: 

公開日: 2018-03-22  

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi