研究課題
* 70GHzミリ波干渉計の水平コード本数を4本に増やし、電子密度の大半径方向分布をAbel逆変換の手法により求めた。これにより、UHR層の位置ならびにUHR層付近での密度勾配長を得る事ができるようになった。* トロイダル方向に120°離れた2つの水平ポート (1R、5R) に、同じ視野角と接線半径を持つ視線でプラズマを見込む2つの20chAXUVピンホールカメラを設置した。ピンホールの直後には厚みの異なる Al及び AlとPolyimideの複合薄膜をそれぞれ3種類ずつ切り換えて挿入出来るようにした。得られた検出器出力信号強度をAbel逆変換した後、その放射強度の比から温度分布を推定した。* 電子サイクロトロン共鳴（ECR）層がR=22.8cmにある時、5GHz、190kW、90ms のマイクロ波電力を左回りの楕円偏波で磁場に対して~75度傾けて入射することにより、遮断密度の約6倍に達する~1.8x10^18m^-3の電子密度を持つオーバーデンスプラズマを無誘導で立ち上げることができた。ミリ波干渉計による計測より、第２高調波ECR層は高域混成共鳴（UHR）層よりも低磁場側（トーラス外側）にあると見積もられた。これより、電子バーンスタイン（EB）波を第１伝播帯へ励起し、ほぼ磁気軸に位置するECR層まで伝播し、そこでバルク電子を加熱したと言える。* 第２伝播帯にEB波を励起し、第２高調波ECR共鳴層での加熱を用いると、遮断密度の２倍弱の比較的低密度で~16kAのプラズマ電流まで無誘導で立ち上げることができた。しかし、電流と密度の積は第１伝播帯EB波による基本共鳴加熱よりも小さかった。
28年度が最終年度であるため、記入しない。
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Proceedings of 26th IAEA Fusion Energy Conference
巻: IAEA-CN-234, EX/P4-45 ページ: 0040-1-8
http://plasma47.energy.kyoto-u.ac.jp/index.html
